2013-08-19
碳化硅(SiC)材料具有高硬度、高强度、低膨胀、耐高温、耐磨损、耐腐蚀等一系列优良特性,其在航天、航空、汽车、舰船、核能、电子、冶金、化工、机械等许多领域的应用越来越广泛,需求也越来越多。
目前,制备SiC粉末方法较多,如机械粉碎法、激光合成法、等离子合成法、CVD法、溶胶—凝胶法、高温裂解法等。在各种方法当中,机械粉碎法因其制备工艺简单、投资小、成本低、产量大,目前仍然是制备SiC微粉的主要方法。但是机械制备超细a-SiC微粉效率较低,且易带入杂质,因此针对a-SiC的超细粉磨分级设备及工艺的开发和研究显得非常必要。
碳化硅的超细粉碎设备主要有搅拌磨机、气流磨机、振动磨机及球磨机等。传统的球磨机应用较早,设备稳定性好,但效率低,能耗大,且不容易得到很细的超细粉末,粉磨后粉体粒径分布范围较宽,增加了分级难度。振动磨机粉碎效果还可以,但其能耗较高,工作时噪声大,细磨SiC这样硬质材料时设备磨损严重,气流磨机生产效率高,生产能力较小,干法生产,工艺简单,但难以生产5um以下粉体,喷嘴极易磨损,设备投资大。
近几年来,实践证明:介质搅拌磨机粉磨效率高,产品粒度分布窄、能耗低,易粉磨到1um或更细,因此是生产亚微米级a-SiC微粉的选择超细粉磨设备。
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